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XIAMENシングルチャンネル電気化学ワークステーション
仕様
TOB-CS350Mシングルチャンネルポテンショスタット/ガルバノスタット/電気化学ワークステーションは、DDS任意関数発生器、高出力ポテンショスタット/ガルバノスタット、デュアルチャンネル相関アナライザ、デュアルチャンネル高速16ビット/高精度24ビットADコンバータ、および拡張インターフェースで構成されています。最大電流は±2A、電位範囲は±10Vです。EIS周波数範囲は10uHz～1MHzです。腐食、エネルギー、材料、電気分析など、様々な電気化学分野に使用できます。電流ブースターCS2020B/CS2040Bを使用することで、電流を最大20A/40Aまで増幅できます。
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仕様 |
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2、3、または4電極システムをサポート |
電位および電流範囲: 自動 |
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電位制御範囲: ±10V |
電流制御範囲: ±2A |
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電位制御精度：0.1％×フルレンジ±1mV |
電流制御精度：0.1％×フルレンジ |
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電位分解能：10μV（> 100Hz）、3μV（< 10Hz） |
電流感度：1pA |
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立ち上がり時間: <1μs (<10mA)、<10μs (<2A) |
基準電極入力インピーダンス：1012Ω||20pF |
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電流範囲：2nA～2A、10範囲 |
コンプライアンス電圧: ±21V |
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最大電流出力：2A |
CVおよびLSVスキャン速度：0.001mV～10,000V/s |
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CAおよびCCパルス幅：0.0001～65,000秒 |
スキャン中の電流増加: 1mA@1A/ms |
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スキャン中の電位増加: 0.076mV@1V/ms |
SWV周波数: 0.001~100 kHz |
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DPVおよびNPVパルス幅：0.0001～1000秒 |
ADデータ取得:16ビット@1 MHz、20ビット@1 kHz |
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DA解像度:16ビット、セットアップ時間:1μs |
CVにおける最小電位増分: 0.075mV |
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IMP周波数：10μHz～1MHz |
ローパスフィルタ：8桁をカバー |
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オペレーティングシステム: Windows 10/11 |
インターフェース: USB 2.0 |
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重量 / 寸法: 6.5kg、36.5 x 30.5 x 16 cm |
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EIS（電気化学インピーダンス分光法） |
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信号発生器 |
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周波数範囲：10μHz～1MHz |
AC振幅:1mV～2500mV |
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DCバイアス: -10~+10V |
出力インピーダンス：50Ω |
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波形: 正弦波、三角波、矩形波 |
波形歪み: <1% |
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スキャンモード: 対数/線形、増加/減少 |
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信号アナライザー |
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積分時間: 最小:10msまたはサイクルの最長時間 |
最大:106サイクルまたは105秒 |
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測定遅延：0～105秒 |
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DCオフセット補償 |
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電位自動補償範囲：-10V～+10V |
電流補償範囲: -1A~+1A |
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帯域幅: 8桁の周波数範囲、自動および手動設定 |
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技術とモデルの比較
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テクニック |
TOB-CS300M EISなし |
TOB-CS310M EIS付き |
TOB-CS350M EIS付き |
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安定した分極 |
開回路電位（OCP） |
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ポテンショスタット（IT曲線） |
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ガルバノスタティック |
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ポテンショダイナミック（ターフェルプロット） |
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ガルバノダイナミック |
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過渡分極 |
多段階ステップ |
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マルチカレントステップ |
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潜在的階段状運動（VSTEP） |
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ガルバニック階段状（ISTEP） |
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クロノ法 |
クロノポテンショメトリー（CP） |
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クロノアンペロメトリー（CA） |
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クロノクーロメトリー（CC） |
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ボルタンメトリー |
サイクリックボルタンメトリー（CV） |
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リニアスイープボルタンメトリー（LSV）(iv) |
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階段状ボルタンメトリー（SCV） # |
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矩形波ボルタンメトリー（SWV） # |
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差動パルスボルタンメトリー（DPV）# |
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ノーマルパルスボルタンメトリー（NPV）# |
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微分ノーマルパルスボルタンメトリー（DNPV）# |
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ACボルタンメトリー（ACV）# |
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環境情報システム |
ポテンショスタティックEIS（ナイキスト、ボード） |
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ガルバノスタティックEIS |
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ポテンショスタットEIS（オプション周波数） |
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ガルバノスタティックEIS（オプション周波数） |
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モット・ショットキー |
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ポテンショスタット EIS と時間の関係 (単一周波数) |
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ガルバノスタティック EIS と時間の関係 (単一周波数) |
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腐食測定 |
サイクリック分極曲線（CPP） |
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直線分極曲線（LPR） |
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電気化学的ポテンショキネティック再活性化（EPR） |
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電気化学的ノイズ（EN） |
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ゼロ抵抗電流計（ZRA） |
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バッテリーテスト |
バッテリーの充電と放電 |
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定電流充電と放電（GCD） |
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定電位充電放電（PCD） |
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定電位間欠滴定法（PITT） |
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定電流間欠滴定法（GITT） |
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アンペロメトリー |
差動パルスアンペロメトリー（DPA） |
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二重差動パルスアンペロメトリー（DDPA） |
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トリプルパルスアンペロメトリー（TPA） |
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統合パルスアンペロメトリック検出（IPAD） |
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# 対応する除去方法があります。
応用
腐食： 本試験装置は、OCP、分極曲線（動電位）、EIS、サイクリック分極CPP（不動態化曲線）、電気化学的動電位再活性化（EPR）、水素拡散試験、ZRA、電気化学ノイズなど、腐食測定に必要なあらゆる電気化学的手法を備えています。金属の腐食メカニズムと耐食性の研究、コーティングの耐久性と犠牲陽極の電流効率の評価に使用できます。また、腐食抑制剤や防カビ剤などの迅速なスクリーニングにも使用できます。
左：3%NaCl溶液中のTi合金とステンレス鋼の分極曲線
右：0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3中の低炭素鋼のEN
相関積分アルゴリズムとデュアルチャンネルオーバーサンプリング技術を採用し、強力な耐干渉性を備えています。内部抵抗は最大1013Ωです。高インピーダンスシステム（コーティング、コンクリートなど）のEIS測定に適しています。
高インピーダンスコーティングの塩水噴霧老化試験
エネルギー
LSV、CV、定電流充放電（GCD）、定電位/定電流EIS、高精度IR補償回路などの技術を備えたCorrtestポテンショスタットは、スーパーキャパシタ、リチウムイオン電池、ナトリウムイオン電池、燃料電池、リチウム硫黄電池、太陽電池、固体電池、フロー電池、金属空気電池などに広く使用されています。これは、エネルギーと材料の分野の研究者にとって優れた科学ツールです。
0.5 mol/L H2SO4溶液中のPPyスーパーキャパシタのCV曲線
電気分析
Corrtestポテンショスタットは、NPV、DNPV、SWV、ACVといったあらゆるボルタンメトリー法に対応しており、溶液中の微量元素の迅速な分析に使用できます。ボルタンメトリーストリッピング法では、ストリッピングピーク電流に基づいて定量分析を行うことができます。
異なるPb2+、Cd 2+、Zn2+濃度の溶液におけるストリッピングボルタンメトリー曲線
電気触媒
ソフトウェアの機能
サイクリックボルタンメトリー： CS Studioソフトウェアは、CV曲線のピーク高さ、ピーク面積、ピーク電位の計算を完了できる、多機能な平滑化/微分/積分キットを提供しています。CV法では、データ解析中に表示するサイクルを正確に選択する機能があります。
ターフェルプロットと腐食速度: CS Studioは、バトラー・フォルマー分極曲線の方程式に対する強力な非線形フィッティング機能も提供します。ターフェル勾配、腐食電流密度、限界電流、分極抵抗、腐食速度を計算できます。また、EN測定に基づいて、パワースペクトル密度、ノイズ抵抗、ノイズスペクトル抵抗を計算することもできます。
バッテリーのテストと分析:
充放電効率、容量、比静電容量、充放電エネルギー。
EIS分析: ボード線図、ナイキスト線図、モット・ショットキー線図
EIS データ分析中に、カスタム等価回路を描画するためのフィッティング機能が組み込まれています。
標準電源 - シングルチャンネルポテンショスタット
製品展示
メールアドレス: tob.amy@tobmachine.com
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